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IXFT13N80Q

更新时间： 2024-01-15 04:13:31

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2页	54K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q Class

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IXFT13N80Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFT13N80Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q Class

IXFH 13N80Q V_DSS

IXFT 13N80Q I_D25

= 800 V

13 A

= 0.70 W

R_DS(on)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated High dv/dt, Low Q_g

t_rr£ 250 ns

Preliminary data sheet

TO-268 (D3) (IXFT) Case Style

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

800

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXFH)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

250

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Fast switching

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

800

2.5

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

4.5

±100

Advantages

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

R_DS(on)

0.70

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98626(6/99)

1 - 2

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IXFT13N80Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT8065SVRG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXFT13N80Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT13N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFT140N10P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFT140N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT140N20X3HV	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFT14N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-268
IXFT14N100Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFT14N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT14N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT150N17T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT150N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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