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IXFT12N100

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFT12N100 数据手册

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HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFT 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Ω

Power MOSFETs

IXFT12 N100 1000 V 12 A 1.05 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr≤ 250 ns

Preliminary data sheet

TO-268 Case Style

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T

= 25°C to 150°C

1000

1000

V

V

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

G

S

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

20

30

V

V

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10N100

12N100

10N100

12N100

10N100

12N100

10

12

40

48

10

12

A

A

A

A

A

A

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate,

TAB = Drain

S = Source,

E_AR

T_C= 25°C

30

mJ

5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

,

V/ns

Features

z

International standard package

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

W

z

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

°C

°C

°C

z

Rugged polysilicon gate cell

structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

T_JM

150

z

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

z

z

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-268 = 6 g

Weight

Applications

z

DC-DC converters

z

Synchronous rectification

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

z

Battery chargers

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

z

min. typ. max.

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

z

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

1000

2.0

V

V

DC choppers

z

4.5

AC motor control

z

Temperature and lighting controls

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100 nA

z

Low voltage relays

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

250 µA

Advantages

1

mA

z

Surface mountable, high power

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10N100

12N100

1.20

1.05

Ω

Ω

package

z

Space savings

High power density

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

z

© 2004 IXYS All rights reserved

DS98509A(01/04)

12 3 4 5

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与IXFT12N100相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFT12N100F	IXYS	HiPerRF Power MOSFETs	获取价格
IXFT12N100Q	IXYS	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class	获取价格
IXFT12N100Q	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFT12N100QHV	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFT12N100QHV	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
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