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| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 632K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 1.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT12N100F | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs |
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| IXFT12N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT12N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT12N100QHV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT12N100QHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT12N50F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFT12N90Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT12N90Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT13N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFT13N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q Class |
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