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IXFT12N50F

更新时间： 2024-11-17 21:54:11

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描述
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching

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IXFT12N50F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT12N50F 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerRF^TM

Power MOSFETs

F-Class: MegaHertz Switching

IXFH 12N50F

IXFT 12N50F

V_DSS

I_D25

= 500 V

= 12 A

R_DS(on)= 0.4 W

t_rr£ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

TO-247AD(IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (IXFT) Case Style

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

300

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

180

Features

^lRF capable MOSFETs

-55 ... +150

°C

^lDouble metal process for low gate

resistance

^lLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^lRugged polysilicon gate cell structure

^lUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^lLow package inductance

- easy to drive and to protect

^lFast intrinsic rectifier

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-264

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

DC-DC converters

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

500

3.0

DC choppers

^l13.5 MHz industrial applications

^lPulse generation

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

5.0 V

I_GSS

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

^lLaser drivers

RF amplifiers

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

50 mA

1 mA

T_J= 125°C

Advantages

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

0.4 W

98737 (07/00)

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