IXFT12N100

更新时间： 2024-11-20 21:55:19

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4页	557K
描述
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

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IXFT12N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	1.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT12N100 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFT 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Ω

Power MOSFETs

IXFT12 N100 1000 V 12 A 1.05 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr≤ 250 ns

Preliminary data sheet

TO-268 Case Style

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

1000

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10N100

12N100

10N100

12N100

10N100

12N100

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate,

TAB = Drain

S = Source,

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

International standard package

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

°C

Rugged polysilicon gate cell

structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

T_JM

150

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-268 = 6 g

Weight

Applications

DC-DC converters

Synchronous rectification

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Battery chargers

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

1000

2.0

DC choppers

4.5

AC motor control

Temperature and lighting controls

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100 nA

Low voltage relays

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

250 µA

Advantages

Surface mountable, high power

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10N100

12N100

1.20

1.05

Ω

package

Space savings

High power density

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS98509A(01/04)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT1001RSVRG	MICROSEMI	功能相似	100% Avalanche Tested

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IXFT12N100F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFT12N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFT12N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT12N100QHV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT12N100QHV	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT12N50F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFT12N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q Class
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IXFT13N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT13N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q Class

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