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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFT12N100QHV
IXFT12N100QHV PDF预览

IXFT12N100QHV

更新时间： 2024-11-18 13:08:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 557K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFT12N100QHV 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

IXFT12N100QHV 数据手册

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HiPerFETTM  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFT 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Ω  
Power MOSFETs  
IXFT12 N100 1000 V 12 A 1.05 Ω  
N-ChannelEnhancementMode  
Highdv/dt, Lowtrr, HDMOSTM Family  
trr ≤ 250 ns  
Preliminary data sheet  
TO-268 Case Style  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
T
= 25°C to 150°C  
1000  
1000  
V
V
TJJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
G
S
(TAB)  
VGS  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
VGSM  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
10N100  
12N100  
10N100  
12N100  
10N100  
12N100  
10  
12  
40  
48  
10  
12  
A
A
A
A
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
G = Gate,  
TAB = Drain  
S = Source,  
EAR  
TC = 25°C  
30  
mJ  
5
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
V/ns  
Features  
z
International standard package  
PD  
TJ  
TC = 25°C  
300  
W
z
Low RDS (on) HDMOSTM process  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z
Rugged polysilicon gate cell  
structure  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsic Rectifier  
TJM  
150  
z
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
°C  
z
z
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
TO-268 = 6 g  
Weight  
Applications  
z
DC-DC converters  
z
Synchronous rectification  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
z
Battery chargers  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
min. typ. max.  
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
z
VDSS  
VGS(th)  
VGS = 0 V, ID = 3 mA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
1000  
2.0  
V
V
DC choppers  
z
4.5  
AC motor control  
z
Temperature and lighting controls  
IGSS  
IDSS  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
100 nA  
z
Low voltage relays  
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
250 µA  
Advantages  
1
mA  
z
Surface mountable, high power  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
10N100  
12N100  
1.20  
1.05  
Ω
Ω
package  
z
Space savings  
High power density  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
z
© 2004 IXYS All rights reserved  
DS98509A(01/04)  
1234

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