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IXFT12N100QHV

更新时间： 2024-01-12 18:54:41

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IXYS		/
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4页	557K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFT12N100QHV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IXFT12N100QHV 数据手册

IXFT 10N100 IXFT 12N100

Fig. 1. OutputCharacteristics

Fig. 2. Input Admittance

T_J= 25°C

_GS= 10V

T_J= 25°C

V_DS- Volts

V_GS- Volts

Fig. 3. R_DS(on)vs. DrainCurrent

Fig.4.TemperatureDependence

of Drain to Source Resistance

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

2.50

2.25

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

T_J= 25°C

V_GS= 10V

_D= 6A

_GS= 15V

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J- Degrees C

I_D- Amperes

Fig. 5. Drain vs. Case Temperature

Fig.6.TemperatureDependenceof

BreakdownandThresholdVoltage

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

V_GS(th)

BV_DSS

12N100

10N100

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T_C- Degrees C

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J- Degrees C

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