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IXFT12N100QHV

更新时间： 2024-01-12 23:35:09

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	557K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFT12N100QHV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IXFT12N100QHV 数据手册

IXFT 10N100 IXFT 12N100

Symbol

g_fs

TestConditions

Characteristic Values

TO-268 Outline

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DS= 10 V; I_D= 0.5 • I_D25, pulse test

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

C_iss

C_oss

C_rss

4000

310

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

62 100

32 50

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 2 Ω (External),

Q_g(on)

Q_gs

Q_gd

122 155

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_thJC

0.42 K/W

Source-DrainDiode

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Symbol

I_S

TestConditions

V_GS= 0 V

10N100

12N100

I_SM

Repetitive;

10N100

12N100

pulse width limited by T_JM

V_SD

I_F= I , V_GS= 0 V,

1.5

Puls^Se test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

t_rr

T = 25°C

250 ns

400 ns

T_J^J= 125°C

I = I_S

-^Fdi/dt = 100 A/µs,

Q_RM

I_RM

T = 25°C

µC

T_J^J= 125°C

V_R= 100 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

Min Recommended Footprint

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered byoneormore

ofthefollowingU.S.patents:

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343 6,583,505

123 4

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