IXFT12N100Q

更新时间： 2024-11-05 04:22:47

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class

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IXFT12N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	1.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT12N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q Class

V_DSSI_D25R_DS(on)

IXFH/IXFT12N100Q

IXFH/IXFT10N100Q

1000 V12 A 1.05 Ω

1000 V10 A 1.20 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

Low Q_g,High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

12N100Q

10N100Q

12N100Q

10N100Q

T_C= 25°C,

TO-268 (D3) ( IXFT)

pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

12N100Q

10N100Q

E_AR

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247 AD

TO-268

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

- faster switching

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

1000

V_GS(th)

2.5

5.5

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

µA

T_J^J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

12N100Q

10N100Q

1.05

1.20

Ω

High power density

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

97539D(12/02)

12 3 4

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