5秒后页面跳转

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFT12N100F

IXFT12N100F PDF预览

IXFT12N100F

更新时间： 2024-01-24 02:01:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	101K
描述
HiPerRF Power MOSFETs

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT12N100F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IXFT12N100F 数据手册

浏览型号IXFT12N100F的Datasheet PDF文件第2页

Advance Technical Information

HiPerRF^TM

Power MOSFETs

F-Class: MegaHertz Switching

IXFH12N100F V_DSS

IXFT 12N100F I_D25

= 1000 V

12 A

=

R_DS(on)= 1.05 Ω

t ≤ 250 ns

rr

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

TO-247AD(IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T

T

= 25°C to 150°C

= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ

1000

1000

V

V

J

J

GS

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

TO-268 (IXFT) Case Style

I_D25

I_DM

I_AR

T

= 25°C

12

48

12

A

A

A

C

T

= 25°C, pulse width limited by T

= 25°C

C

JM

T

C

G

(TAB)

S

E_AR

E_AS

T

= 25°C

= 25°C

30

1.0

mJ

J

C

T

C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

dv/dt

I

T

≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V

5

V/ns

S

DM

DD

DSS

≤ 150°C, R = 2 Ω

J

G

P_D

T_J

T

= 25°C

300

W

C

Features

l

-55 ... +150

°C

RF capable MOSFETs

l

Double metal process for low gate

resistance

Ruggedpolysilicongatecellstructure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

°C

l

l

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

l

l

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

Weight

TO-247

TO-268

6

4

g

g

Applications

l

DC-DC converters

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T = 25°C, unless otherwise specified)

l

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

J

min. typ. max.

l

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

1000

3.0

V

l

13.5 MHz industrial applications

l

V_GS(th)

I_GSS

5.5 V

Pulse generation

l

Laser drivers

V

= ±20 V, V = 0

±100 nA

GS

DS

l

RF amplifiers

I_DSS

V

= V

= 0 V

50 µA

1.5 mA

DS

DSS

Advantages

l

Space savings

V

T

= 125°C

GS

J

l

R_DS(on)

V

Note 1

= 10 V, I = 0.5 I

1.05

Ω

GS

D

D25

High power density

98856 (8/01)

© 2001 IXYS All rights reserved

12

下载PDF

与IXFT12N100F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFT12N100Q	IXYS	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class	获取价格
IXFT12N100Q	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFT12N100QHV	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFT12N100QHV	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFT12N50F	IXYS	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching	获取价格
IXFT12N90Q	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Q Class	获取价格

与IXFT12N100F相关文章

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证