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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.53 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT12N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT12N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT12N100QHV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT12N100QHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT12N50F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFT12N90Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT12N90Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT13N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFT13N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT13N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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