5秒后页面跳转

Datasheet > IXFT120N30X3HV

IXFT120N30X3HV PDF预览

IXFT120N30X3HV

更新时间： 2023-12-06 20:13:28

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	1914K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT120N30X3HV 数据手册

浏览型号IXFT120N30X3HV的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFT120N30X3HV的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXFT120N30X3HV的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXFT120N30X3HV的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IXFT120N30X3HV的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IXFT120N30X3HV的Datasheet PDF文件第7页

X3-ClassHiPerFET^TM

PowerMOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 120A

R_DS(on) 11.0m

IXFT120N30X3HV

IXFH120N30X3

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

D

G

TO-268HV

(IXFT..HV)

S

G

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

S

T_J= 25C to 150C

300

300

V

V

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-247

(IXFH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

V

V

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

120

280

A

A

G

D

S

D (Tab)

= Drain

I_A

T_C= 25C

T_C= 25C

60

2

A

J

E_AS

G = Gate

S = Source

D

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

50

V/ns

W

Tab = Drain

735

T_J

-55 ... +150

150

C

C

C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +150



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G







T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

Avalanche Rated

T_SOLD

Low Package Inductance

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-268HV

TO-247

4

6

g

g

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings





Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

V

V



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

2.5

4.5



100 nA







I_DSS

25 A

1 mA

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

8.6

11.0 m

© 2022 Littelfuse, Inc.

DS100865C(9/22)

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与IXFT120N30X3HV相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFT12N100	IXYS	N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family	获取价格
IXFT12N100	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFT12N100F	IXYS	HiPerRF Power MOSFETs	获取价格
IXFT12N100Q	IXYS	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class	获取价格
IXFT12N100Q	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFT12N100QHV	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

与IXFT120N30X3HV相关文章

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证