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IXFT120N25T

更新时间： 2024-11-05 21:09:59

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFT120N25T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.33
Base Number Matches：	1

IXFT120N25T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 250V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 23mΩ

IXFT120N25T

IXFH120N25T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_DGR

TO-247 (IXFH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

120

300

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25°C

890

Tab = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

International Standard Packages

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±200 nA

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

25 μA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.5 mA

R_DS(on)

23 mΩ

Power Supplies

DC Choppers

AC Motor Drives

Uninterruptible Power Supplies

High Speed Power Switching

Applications

DS100384A(11/11)

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