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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT100N30X3HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT100N30X3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT10N100 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |
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| IXFT10N100Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT120N15P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT120N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT120N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT120N25T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 250V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXFT120N25X3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT120N25X3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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