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IXFR80N50P

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247

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IXFR80N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.29
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A
最大漏极电流 (ID)：	45 A	最大漏源导通电阻：	0.072 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR80N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

ISOPLUS247^TM

IXFR 80N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 45 A

R_DS(on)≤ 72 mΩ

t_rr

≤ 200 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

500

ISOPLUS247 (IXFR)

E153432

V_GSM

Transient

Continuous

I_D25

I_DM

T_C=25° C

200

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(Isolated Tab)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

3.5

G = Gate

D = Drain

S = Source

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_C= 25° C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Low drain to tab capacitance(<30pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_L

Maximum lead temperature for soldering

300

°C

F_C

Mounting force

20..120/4.5..25

N/lb

Rugged polysilicon gate cell structure

Rated for Unclamped Inductive Load

Switching (UIS)

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS, 1 minute

2500

Fast intrinsic Rectifier

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

DC choppers

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 500 µA

500

AC motor control

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

3.0

5.0

Advantages

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

200

Easy assembly

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

Space savings

T_J= 125° C

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 40 A

72 mΩ

DS99438E(03/06)

12 3 4 5

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