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IXFR80N20Q

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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2页	39K
描述
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class

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IXFR80N20Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	71 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	310 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR80N20Q 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TM, Q-Class

(Electrically Isolated Back Surface)

IXFR 80N20Q V_DSS= 200 V

I_D25= 71 A

R_DS(on)= 28mW

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr£ 200 ns

Low Q_g, High dv/dt

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

ISOPLUS 247^TM

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

320

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

E_AR

T_C= 25°C

1.5

E_AS

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

310

T_J

-55 ... +150

150

°C

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low drain to tab capacitance(<30pF)

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

• Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min.

typ.

max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

200

V_GS(th)

2.0

4.0

• DC choppers

• AC motor control

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Note 1

28 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98617A(7/00)

1 - 2

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