是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.83 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 71 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.028 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 310 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR80N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 | |
IXFR80N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR80N50Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFR80N60P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFR90N20 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFR90N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR90N30 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFT100N30X3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFT100N30X3HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFT10N100 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |