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IXFR66N50Q2

更新时间: 2024-02-17 13:15:43
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

IXFR66N50Q2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.83
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):4000 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):500 W最大脉冲漏极电流 (IDM):264 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXFR66N50Q2 数据手册

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HiPerFETTM  
Power MOSFET  
Q2-Class  
IXFR66N50Q2  
VDSS = 500V  
ID25 = 50A  
RDS(on) 85mΩ  
250ns  
trr  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg  
Low intrinsic Rg, low trr  
ISOPLUS247 (IXFR)  
E153432  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
500  
500  
V
V
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 30  
± 40  
V
V
Isolated Tab  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
50  
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
264  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
66  
4
A
J
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
EAS  
dV/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25°C  
20  
V/ns  
W
500  
Features  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
• Double metal process for low gate  
resistance  
• International standard package  
• EpoxymeetUL94V-0, flammability  
classification  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
Maximum lead temperature for soldering  
Plastic body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
V~  
• Avalanche energy and current rated  
• Fast intrinsic Rectifier  
TSOLD  
VISOL  
FC  
50/60 Hz, RMS, 1 minute  
Mounting force  
2500  
Advantages  
20..120/4.5..27  
5
N/lb.  
• Easy to mount  
• Space savings  
• High power density  
Weight  
g
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min.  
Typ. Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = ± 30V, VDS = 0V  
500  
3.0  
V
V
5.5  
± 200 nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
50 μA  
2 mA  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 33A, Note 1  
85 mΩ  
DS99076A(05/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  

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