Datasheet > IXFR70N15

IXFR70N15

更新时间： 2024-11-18 04:22:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	37K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFR70N15 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	67 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR70N15 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TMPower MOSFETs IXFR 70N15 V_DSS=150 V

ISOPLUS247^TM

I_D25= 67 A

R_DS(on)= 28mW

(Electrically Isolated Backside)

t_rr£ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

ISOPLUS 247^TM

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

150

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externallead(currentlimit)

T_C= 25°C, Note 1

280

Isolated backside*

D = Drain S = Source

G = Gate

I_AR

T_C= 25°C

*Patentpending

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_J

T_C= 25°C

250

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low drain to tab capacitance(<30pF)

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Rated for Unclamped Inductive Load

Switching (UIS)

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

• Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

150

2.0

4.0 V

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• AC motor control

±100nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 mA

750mA

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 2, 3

28 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98714(03/27/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXFR70N15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR80N15Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR80N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
IXFR80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR80N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFR80N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFR90N20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFR90N30	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR90N30	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT100N30X3HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXFR70N15相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR70N15

IXFR70N15 技术参数

IXFR70N15 数据手册

与IXFR70N15相关器件

与IXFR70N15相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR70N15

IXFR70N15 技术参数

IXFR70N15 数据手册

与IXFR70N15相关器件

与IXFR70N15相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？