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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 149K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 37 A | 最大漏极电流 (ID): | 37 A |
最大漏源导通电阻: | 0.095 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 150 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR64N50Q3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXFR64N50Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 500V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFR64N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFR64N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR64N60Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFR64N60Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFR66N50Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR70N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFR80N15Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR80N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class |