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IXFR64N60P

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
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IXFR64N60P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 36A

R_DS(on) 105m

IXFR64N60P

t_rr

 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

V_DGR

Isolated Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

E_AS

T_C= 25C

3.5

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

^Isolated Mounting Surface

^Low Intrinsic Gate Resistance

^2500V~ Electrical Isolation

^Dynamic dv/dt Rating

^Avalanche Rated

^Fast Intrinsic Rectifier

^Low Q_G

^Low R_DS(on)

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

320

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500 V

F_C

20..120/4.5..27

N/lb

Weight

Advantages

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

200 nA

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 A

T_J= 125C

1 mA

^Uninterrupted Power Supplies

^AC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 32A, Note 1

105 m

^High Speed Power Switching

Applications

DS99441F(5/14)

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