是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 3500 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 36 A | 最大漏源导通电阻: | 0.105 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 150 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STW34NM60N | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh⢠II | |
IXFL70N60Q2 | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR64N60Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFR64N60Q3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFR66N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR70N15 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFR80N15Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR80N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class | |
IXFR80N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 | |
IXFR80N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR80N50Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFR80N60P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |