IXFR64N60P

更新时间： 2024-01-12 18:33:25

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	151K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFR64N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.105 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR64N60P 数据手册

V_DSS

I_D25

= 600

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFR 64N60P

R_DS(on)≤ 105 mΩ

≤ 200 ns

t_rr

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

ISOPLUS247 (IXFR)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

Isolated back surface

I_D25

I_DM

T_C= 25° C

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

150

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

3.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

T_C= 25° C

360

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

V_ISOL

T_L

F_C

50/60 Hz, RMS, 1 minute

2500

300

22..130/5..29

°C

N/lb

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting force

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

ISOPLUS247

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

600

3.0

5.0

200

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125° C

1000

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T, Note 1

105 mΩ

DS99441E(01/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFR64N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW34NM60N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V, 0.092 Î©, 29 A MDmeshâ¢ II
IXFL70N60Q2	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

与IXFR64N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR64N60Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFR64N60Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFR66N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFR70N15	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFR80N15Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR80N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
IXFR80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR80N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFR80N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的

与IXFR64N60P相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

11
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR64N60P

IXFR64N60P 技术参数

IXFR64N60P 数据手册

IXFR64N60P 替代型号

与IXFR64N60P相关器件

与IXFR64N60P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR64N60P

IXFR64N60P 技术参数

IXFR64N60P 数据手册

IXFR64N60P 替代型号

与IXFR64N60P相关器件

与IXFR64N60P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？