IXFR44N50P

更新时间： 2024-02-01 19:37:12

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247

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IXFR44N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
最大漏极电流 (ID)：	34 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	310 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR44N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

ISOPLUS247^TM

IXFR 44N50P

V_DSS= 500

I_D25= 24

R_DS(on)≤ 150 mΩ

t_rr≤ 200 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

ISOPLUS247 (IXFR)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GSM

Transient

Continuous

ISOLATED TAB

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

132

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.7

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 10 Ω

V/ns

Features

International standard isolated

package

UL recognized package

T_C=25° C

208

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic diode

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS, 1 minute

Mounting Force

2500

20..120 / 4.5..25

N/lb

Weight

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 22 A

150 mΩ

DS99319E(03/06)

12 3 4 5

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IXFR44N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFR44N50Q3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.154ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP50R140CP	INFINEON	功能相似	CoolMOSTM Power Transistor
IPA50R140CP	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR44N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFR44N50Q_03	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
IXFR44N50Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.154ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFR44N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFR44N60	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
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