5秒后页面跳转
IPA50R140CP PDF预览

IPA50R140CP

更新时间: 2024-02-16 17:59:28
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 607K
描述
CoolMOS Power Transistor

IPA50R140CP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:8.49雪崩能效等级(Eas):616 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):23 A
最大漏极电流 (ID):23 A最大漏源导通电阻:0.14 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):34 W最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPA50R140CP 数据手册

 浏览型号IPA50R140CP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPA50R140CP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPA50R140CP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPA50R140CP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPA50R140CP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPA50R140CP的Datasheet PDF文件第7页 
IPA50R140CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
!0 8M\_Sj  
R =L"a`#%_Sj  
Q Y%fkb  
V
..)  
)'*-)  
-1  
O
W 4 EHB: M?: ; 8;IJ / =L"a`# ?D 1,     
W )EM;IJ <?=KH; E< C ;H?J / , + N . Y  
"
`<  
W 2 BJH7 BEM =7J; 9>7H=;  
W " NJH;C ; : Lꢂ: J H7J;:  
W % ?=> F;7A 9KHH;DJ 97F78?B?JO  
1,     # -  
W -8ꢃ<H;; B;7: FB7J?D=ꢄ / E% 0 9EC FB?7DJꢀ ꢁ ꢂ ꢃꢄ ꢅ ꢆ ꢇ ꢈꢉꢆ ꢆ ꢈꢄ ꢉ ꢊ ꢄ ꢃꢋ ꢌ ꢄ ꢊ ꢍ ꢄ ꢎ ꢇ ꢋ  
)#  
W . K7B!<?;: ꢈꢄ ꢉ ꢏꢇ ꢋ ꢎ ꢐ ꢑꢉꢏꢂ ꢃ ꢅ ꢉꢂ ꢋ ꢆ ꢂ ꢍ ꢍ ꢃꢏꢌ ꢂ ꢑꢏꢄ ꢇ ꢐ 799EH: ?D= JE ' " !"   
CoolMOS CP is designed for:  
W % 7H: 7D: IE<JIM?J9>?D= 0* -0 <EH I;HL;H FEM;H IKFFB?;I  
W     * -#   <EH  15ꢆ + EJ;8EEA 7: 7FJ;Hꢆ -!- 7D: )  ! 13  
W -4 * IJ7=;I <EH 0;HL;Hꢆ  : 7FJ;H  
Type  
Package  
Marking  
BI9.)K*-)<I  
I@&MH++)?I  
.K*-)I  
Maximum ratings, 7J T \   Z   KDB;II EJ>;HM?I; IF;9?<?;:  
Value  
+,  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
  EDJ?DKEKI : H7?D 9KHH;DJ*#  
I =  
T <   Z  
9
*.  
T <    Z  
-KBI;: : H7?D 9KHH;DJ+#  
./  
I =%bg^eW  
E 9L  
E 9K  
I 9K  
T <   Z  
I =  ꢋꢌ   V ==   3  
I =  ꢋꢌ   V ==   3  
 L7B7D9>; ;D;H=Oꢆ I?D=B; FKBI;  
 L7B7D9>; ;D;H=Oꢆ H;F;J?J?L; t 9K  
/*/  
)'2,  
2',  
.)  
_C  
9
+#%,#  
+#%,#  
 L7B7D9>; 9KHH;DJꢆ H;F;J?J?L; t 9K  
V
=L  ꢋꢋꢋꢍ   3  
* , 0# " 1 : v (Vt HK==;: D;II  
: v (Vt  
O(`e  
O
V @L  
w+)  
w,)  
$ 7J; IEKH9; LEBJ7=;  
efSf[U  
   ꢎ<ꢏ  % Pꢐ  
P faf  
T <   Z  
,-  
ꢃꢈ  ꢋꢋꢋ     
   
-EM;H : ?II?F7J?ED  
P
T \ T efY  
, F;H7J?D= 7D: IJEH7=; J;C F;H7JKH;  
* EKDJ?D= JEHGK;  
v<  
*  ꢋꢈ I9H;MI  
F7=;   
+ 9C  
/ ;Lꢋ  ꢋꢉ  
    ꢃꢉ  ꢃꢀ   

IPA50R140CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP50R140CP INFINEON

类似代替

CoolMOSTM Power Transistor
IXFR44N50P IXYS

功能相似

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
STF25NM50N STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

与IPA50R140CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA50R140CPXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPA50R190CE INFINEON

获取价格

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET
IPA50R190CEXKSA2 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA50R199CP INFINEON

获取价格

CoolMos Power Transistor
IPA50R199CPXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA50R250CP INFINEON

获取价格

CoolMos Power Transistor
IPA50R280CE INFINEON

获取价格

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET
IPA50R280CEXKSA2 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA50R299CP INFINEON

获取价格

CoolMos Power Transistor
IPA50R350CP INFINEON

获取价格

CoolMOSTM Power Transistor