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IXFR40N90P

更新时间： 2024-11-18 12:19:59

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4页	120K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFR40N90P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFR40N90P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

V_DSS= 900V

I_D25= 21A

R_DS(on)≤ 230mΩ

≤ 300ns

IXFR40N90P

HiPerFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247

E153432

T_J= 25°C to 150°C

900

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

Isolated Tab

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

G = Gate

= Drain

S = Source

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

Fearures

T_JM

T_stg

^zSilicon chip on Direct-Copper Bond

(DCB) substrate

-55 ... +150

^zIsolated mounting surface

^z2500V electrical isolation

^zFast intrinsic diode

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

V_ISOL

F_C

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

50/60 Hz, RMS, 1 minute

Mounting force

2500

20..120/4.5..27

N/lb.

Advantages

Weight

^zLow gate drive requirement

^zHigh power density

Applications:

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

900

3.5

^zDC-DC Converters

6.5

^zLaser Drivers

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

± 100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

3.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 20A, Note 1

230 mΩ

DS100063(10/08)

12 3 4

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