Datasheet > IXFR40N90P

IXFR40N90P

更新时间： 2024-11-05 12:19:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	120K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFR40N90P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFR40N90P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

V_DSS= 900V

I_D25= 21A

R_DS(on)≤ 230mΩ

≤ 300ns

IXFR40N90P

HiPerFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247

E153432

T_J= 25°C to 150°C

900

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

Isolated Tab

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

G = Gate

= Drain

S = Source

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

Fearures

T_JM

T_stg

^zSilicon chip on Direct-Copper Bond

(DCB) substrate

-55 ... +150

^zIsolated mounting surface

^z2500V electrical isolation

^zFast intrinsic diode

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

V_ISOL

F_C

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

50/60 Hz, RMS, 1 minute

Mounting force

2500

20..120/4.5..27

N/lb.

Advantages

Weight

^zLow gate drive requirement

^zHigh power density

Applications:

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

900

3.5

^zDC-DC Converters

6.5

^zLaser Drivers

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

± 100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

3.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 20A, Note 1

230 mΩ

DS100063(10/08)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

IXFR40N90P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFL44N100P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFR40N90P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR44N50F	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFR44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR44N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR44N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFR44N50Q_03	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
IXFR44N50Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.154ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFR44N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFR44N60	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR44N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

与IXFR40N90P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR40N90P

IXFR40N90P 技术参数

IXFR40N90P 数据手册

IXFR40N90P 替代型号

与IXFR40N90P相关器件

与IXFR40N90P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR40N90P

IXFR40N90P 技术参数

IXFR40N90P 数据手册

IXFR40N90P 替代型号

与IXFR40N90P相关器件

与IXFR40N90P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？