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IXFR38N80Q2

更新时间： 2024-01-03 02:50:13

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描述
Electrically Isolated Back Surface

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IXFR38N80Q2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR38N80Q2 数据手册

HiPerFET^TM

MOSFET

Q2-Class

V_DSS

I_D25

= 800 V

28 A

IXFR 38N80Q2

R_DS(on)= 240 mΩ

t_rr≤ 250 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247 (IXFR)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

800

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

150

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

Isolated Back

Surface

T^C_C= 25°C

E_AR

E_AS

= 25°C

4.0

T^C_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

416

Double metal process for low gate

resistance

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Silicon chip on DCB substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

50/60 Hz, RMS, t = 1 min

300

°C

V_ISOL

2500

3000

_SOL= 1mA, t = 1 s

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic Rectifier

F_C

Mounting Force

Weight

Advantages

Easy assembly

Space savings

High power density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

800

2.0

V_GS(th)

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

200 nA

V_DS= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

50 µA

V_GS= 0 ^DV^SS

R_DS(on)

= 10 V, I_D= I

240 mΩ

P^Gu^Slse test, t ≤ 30^T0 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99203(09/04)

12 3 4 5

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