IXFR36N50P

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	248K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFR36N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR36N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFC 36N50P

IXFR 36N50P

V_DSS= 500

I_D2519

R_DS(on)≤ 190 mΩ

≤ 200 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS220^TM(IXFC)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

Isolated back surface

I_D25

I_DM

T_C= 25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

100

ISOPLUS247^TM(IXFR)

E153432

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

Isolated back surface

T_C=25° C

156

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

50/60 Hz, RMS, 1 minute

300

°C

Features

International standard isolated

packages

UL recognized packages

V_ISOL

2500

F_C

Mounting Force

(IXFC)

(IXFR)

11..65 / 2.5..15

20..120 / 4.5..25

N/lb

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

Weight

(IXFC)

(IXFR)

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

500

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

2.5

5.0

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

100

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

190 mΩ

DS99312E(10/05)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET
IXFH36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH30N50Q3	IXYS	类似代替	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

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IXFR36N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR38N80Q2	IXYS	获取价格	Electrically Isolated Back Surface
IXFR38N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFR38N80Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFR40N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFR40N50Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFR40N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFR40N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR44N50F	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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