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IXFR32N100Q3

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	647K
描述
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的广泛器件。 Q3级系列的漏极-源极电压额定值为200V–1000V，漏极电流额定值为10A–100

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IXFR32N100Q3 数据手册

Q3-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 23A

R_DS(on) 350m

 300ns

IXFR32N100Q3

HiperFET^TM

Power MOSFET

t_rr

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

570

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

Low Intrinsic Gate Resistance

2500V~ Electrical Isolation

Fast Intrinsic Rectifier



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C



V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500 V

Avalanche Rated

F_C

20..120/4.5..27

N/lb.

Low Package Inductance

Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

6.5



200 nA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

I_DSS

50 A

2 mA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 16A, Note 1

350 m

DS100366B(1/20)

12 3 4 5 6 7

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