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IXFR32N100Q3

更新时间: 2024-11-19 14:56:11
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力特 - LITTELFUSE 开关
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7页 647K
描述
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的广泛器件。 Q3级系列的漏极-源极电压额定值为200V–1000V,漏极电流额定值为10A–100

IXFR32N100Q3 数据手册

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Q3-Class  
VDSS = 1000V  
ID25 = 23A  
RDS(on) 350m  
300ns  
IXFR32N100Q3  
HiperFETTM  
Power MOSFET  
D
trr  
(Electrically Isolated Tab)  
G
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Intrinsic Rectifier  
S
ISOPLUS247  
E153432  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
1000  
1000  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
Isolated Tab  
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
23  
96  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
32  
2
A
J
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
570  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
Low Intrinsic Gate Resistance  
2500V~ Electrical Isolation  
Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500 V  
Avalanche Rated  
FC  
20..120/4.5..27  
N/lb.  
g
Low Package Inductance  
Weight  
5
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
6.5  
200 nA  
Power Supplies  
DC Choppers  
Temperature and Lighting Controls  
IDSS  
50 A  
2 mA  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 16A, Note 1  
350 m  
DS100366B(1/20)  
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