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IXFR30N60P

更新时间： 2024-02-20 08:40:49

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFR30N60P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR30N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFC 30N60P

IXFR 30N60P

V_DSS= 600

I_D25= 15

R_DS(on)≤ 250 mΩ

≤ 250 ns

Electrically Isolated Back Surface

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS220^TM(IXFC)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

Isolated back surface

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

ISOPLUS247^TM(IXFR)

E153432

E_AR

E_AS

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 3 Ω

V/ns

T_C= 25°C

166

Isolated back surface

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

50/60 Hz, RMS, t = 1minute, leads-to-tab

300

°C

Features

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

V_ISOL

F_C

2500

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

^zLow drain to tab capacitance(<30pF)

Mounting Force

(IXFC)

(IXFR)

11..65 / 2.5..15

20..120 / 4.5..25

N/lb

Weight

ISOPLUS220

ISOPLUS247

Applications

DC-DC converters

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

3.0

5.0

DC choppers

^zAC motor control

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

μA

Advantages

T_J= 125°C

Easy assembly

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 15 A

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

250 mΩ

High power density

DS99341E(03/06)

12 3 4

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