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IXFR32N80P

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247

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IXFR32N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.29 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR32N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

ISOPLUS247^TM

V_DSS= 800

IXFR 32N80P

I_D25

≤ 290 mΩ

t_rr^DS(on)≤ 250 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247 (IXFR)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

800

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

(Isolated Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25° C

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

Features

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_C=25° C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Low drain to tab capacitance(<30pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

° C

Rated for Unclamped Inductive Load

Switching (UIS)

F_C

Mounting force

20..120/4.5..26

N/lb

Fast intrinsic Rectifier

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS t = 1 minute

2500

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

power supplies

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

DC choppers

AC motor control

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

800

3.0

5.0

Advantages

Easy assembly

200

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

1000

µA

High power density

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

290 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99419E(01/06)

12 3 4 5

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