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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 600 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR36N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFR36N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFR36N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFR36N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFR38N80Q2 | IXYS |
获取价格 |
Electrically Isolated Back Surface |
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| IXFR38N80Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFR38N80Q2_08 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
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| IXFR40N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFR40N50Q2_08 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
|
| IXFR40N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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