IXFR26N50

更新时间： 2024-11-24 23:13:27

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)

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IXFR26N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR26N50 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFR 26N50

IXFR 24N50

500V

24 A

22 A

0.20 W

0.23 W

(Electrically Isolated Back Surface)

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

High dV/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

ISOPLUS 247^TM

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated back surface*

D = Drain

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

26N50

24N50

26N50

24N50

26N50

24N50

104

G = Gate

S = Source

T_C= 25°C, Pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

*Patentpending

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

250

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• Low drain to tab capacitance(<50pF)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

• Low R

HDMOS^TMprocess

• Rugge^Dd^Sp^(ooⁿ⁾lysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 minute leads-to-tab

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• AC motor control

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

500

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 1 & 2

26N50

24N50

0.20

0.23

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98526A(2/99)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFR24N50Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
IXFR24N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
IXFR26N50Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)

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IXFR30N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR30N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR30N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFR30N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
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