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IXTV200N10T

更新时间： 2024-02-12 21:32:30

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV200N10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	200 A
最大漏极电流 (ID)：	200 A	最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	550 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	500 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTV200N10T 数据手册

IXTV200N10T

IXTV200N10TS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

PLUS220 (IXTV) Outline

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

g_fs

V_DS= 10V, I_D= 60A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

C_iss

C_oss

C_rss

9400

1087

140

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

ResistiveSwitchingTimes

_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 50A

R_G= 3.3Ω (External)

Q_g(on)

Q_gs

152

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 50A

Q_gd

R_thJC

R_thCH

0.27 °C/W

°C/W

PLUS220

0.21

Source-Drain Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

200

500

1.0

I_S

V_GS= 0V

I_SM

V_SD

Repetitive, Pulse width limited by T_JM

I_F= 50A, V_GS= 0V, Note 1

PLUS220SMD (IXTV_S) Outline

t_rr

Q_RM

I_RM

205

5.4

I_F= 100A, V_GS= 0V,-di/dt = 100A/μs

V_R= 50V

Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300μs; duty cycle, d ≤ 2%.

2. On through-hole packages, R_DS(on)Kelvin test contact

location must be 5mm or less from the package body.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5

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与IXTV200N10T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV200N10TS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,	获取价格
IXTV22N50P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV22N50PS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV22N60P	IXYS	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTV22N60PS	IXYS	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTV230N085T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格

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