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IXTV200N10T

更新时间： 2024-02-25 02:30:46

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV200N10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	200 A
最大漏极电流 (ID)：	200 A	最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	550 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	500 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTV200N10T 数据手册

IXTV200N10T

IXTV200N10TS

Fig. 1. Output Characteristics

@ 25ºC

Fig. 2. Extended Output Characteristics

@ 25ºC

350

300

250

200

150

100

200

180

160

140

120

100

V_GS= 10V

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 100A Value

vs. Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics

@ 150ºC

200

180

160

140

120

100

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

V_GS= 10V

I _D= 200A

I _D= 100A

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2

V_DS- Volts

-50

-25

100

125

150

175

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to I_D= 100A Value

vs. Drain Current

Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature

3.0

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

External Lead Current Limit

V_GS= 10V

15V

- - - -

T_J= 175ºC

T_J= 25ºC

120

160

200

240

280

320

-50

-25

100

125

150

175

I_D- Amperes

T_C- Degrees Centigrade

1 234 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV200N10TS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,	获取价格
IXTV22N50P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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