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IXTV200N10T

更新时间： 2024-02-27 08:26:08

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV200N10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	200 A
最大漏极电流 (ID)：	200 A	最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	550 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	500 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTV200N10T 数据手册

IXTV200N10T

IXTV200N10TS

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

250

225

200

175

150

125

100

160

140

120

100

T_J= - 40ºC

25ºC

150ºC

T_J= 150ºC

25ºC

- 40ºC

100 125 150 175 200 225 250

I_D- Amperes

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

V_GS- Volts

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

300

270

240

210

180

150

120

V_DS= 50V

I _D= 25A

I _G= 10mA

T_J= 150ºC

T_J= 25ºC

100

120

140

160

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

Q_G- NanoCoulombs

V_SD- Volts

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

100,000

10,000

1,000

100

1.00

0.10

0.01

= 1MHz

iss

oss

rss

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

Pulse Width - Seconds

IXYS REF: T_200N10T(6V)9-30-08-D

1 2 345

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV200N10TS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,	获取价格
IXTV22N50P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV22N50PS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV22N60P	IXYS	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTV22N60PS	IXYS	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTV230N085T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格