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STD35N3LH5TRL

更新时间： 2024-09-20 19:53:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	493K
描述
35A, 30V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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STD35N3LH5TRL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD35N3LH5TRL 数据手册

STD35N3LH5

N-channel 30 V, 14 mΩ, 35 A, DPAK

STripFET™ V Power MOSFET

Preliminary data

Features

R_DS(on)

max

Type

V_DSS

I_D

STD35N3LH5

30 V

< 16 mΩ

35 A

■ 100% avalanche tested

■ Surface mounting DPAK (TO-252)

■ R * Q industry benchmark

DPAK

DS(on)

■ Low gate drive power losses

Applications

■ Switching applications

– Automotive

Figure 1.

Internal schematic diagram

Description

This STripFET™V Power MOSFET technology is

among the latest improvements, which have been

especially tailored to achieve very low on-state

resistance providing also one of the best-in-class

figure of merit (FOM).

Table 1.

Order codes

STD35N3LH5

Device summary

Marking

Package

DPAK

Packaging

D35N3LH5

Tape and reel

October 2009

Doc ID 16359 Rev 1

1/11

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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