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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD3N25T4 | STMICROELECTRONICS |
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3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
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| STD3N30 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD3N30-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |
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| STD3N30L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD3N30L-1 | ETC |
获取价格 |
OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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| STD3N30LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252 |
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| STD3N30T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252 |
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| STD3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po |
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| STD3N65M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、1.4 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET，D |
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| STD3N95K5AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道950 V、4.3 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET， |
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