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STD3N25-1 PDF预览

STD3N25-1

更新时间： 2024-11-10 20:31:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 355K
描述
3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3

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STD3N25-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD3N25-1 数据手册

 浏览型号STD3N25-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD3N25-1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD3N25-1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD3N25-1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD3N25-1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD3N25-1的Datasheet PDF文件第7页 
STD3N25  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 2 Ω  
ID  
STD3N25  
250 V  
3 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
CHARACTERIZATION  
1
1
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX "T4")  
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
INDUSTRIAL ACTUATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
PARTICULARLY SUITABLE FOR  
ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP  
BALLASTS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
250  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
250  
V
± 20  
3
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
1.9  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
12  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
45  
W
Derating Factor  
0.36  
-65 to 150  
150  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
January 1995  
1234567...10

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与STD3N25-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD3N25T4 STMICROELECTRONICS

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 		3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
STD3N30 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3N30-1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251
STD3N30L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3N30L-1 ETC

获取价格

 		OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD3N30LT4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252
STD3N30T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252
STD3N62K3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po
STD3N65M6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、1.4 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET，D
STD3N95K5AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		汽车级N沟道950 V、4.3 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，

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