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STD3N30L

更新时间： 2024-11-23 22:14:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 172K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STD3N30L 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.83Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

STD3N30L 数据手册

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STD3N30L  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 1.4 Ω  
ID  
STD3N30L  
300 V  
3 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.15 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
CHARACTERIZATION  
1
1
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX ”T4”)  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
INDUSTRIAL ACTUATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
PARTICULARLY SUITABLE FOR  
ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP  
BALLASTS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
300  
V
V
VDG R  
VGS  
300  
± 15  
V
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
3
A
ID  
2
12  
A
IDM(•)  
Ptot  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
50  
W
Derating Factor  
0.4  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD3N30L-1 ETC

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 		OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
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