品牌 | Logo | 应用领域 |
意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 58K | |
描述 | ||
N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.81 | 雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.2 A |
最大漏源导通电阻: | 2.7 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 60 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12.8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD3NC50-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-251AA | |
STD3NC50T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3.2A, 500V, 2.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | |
STD3NC60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK Po | |
STD3NC60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK Po | |
STD3NC60T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252AA | |
STD3NK100Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2 | |
STD3NK50Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET | |
STD3NK50Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET | |
STD3NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA | |
STD3NK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA |