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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.62 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD3NM60-1 | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK |
|
| SPS03N60C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD3PK50Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-channel 500 V, 3 Ω typ., 2.8 A Zener-prote |
|
| STD3PS25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 250V - 2.1 OHM - 3A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET |
|
| STD3PS25-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 250V - 2.1 OHM - 3A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET |
|
| STD3PS25T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3A, 250V, 2.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3 |
|
| STD4 | COOPER |
获取价格 |
Circuit Protection Solutions Low Voltage Fuse Links Catalogue |
|
| STD40100S | JSMC |
获取价格 |
TO-220 |
|
| STD40G08S | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules |
|
| STD40G12S | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules |
|
| STD40G14S | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules |
|
| STD40G16S | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules |
|
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