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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 550K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-251 |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.65 | 雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD3NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IP |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD3NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 1.6 Ohm, 3.3 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package | |
STD3NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IP | |
STD3PK50Z | STMICROELECTRONICS |
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P-channel 500 V, 3 Ω typ., 2.8 A Zener-prote | |
STD3PS25 | STMICROELECTRONICS |
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P-CHANNEL 250V - 2.1 OHM - 3A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET | |
STD3PS25-1 | STMICROELECTRONICS |
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P-CHANNEL 250V - 2.1 OHM - 3A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET | |
STD3PS25T4 | STMICROELECTRONICS |
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3A, 250V, 2.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3 | |
STD4 | COOPER |
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Circuit Protection Solutions Low Voltage Fuse Links Catalogue | |
STD40100S | JSMC |
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TO-220 | |
STD40G08S | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Diode Modules | |
STD40G12S | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules |