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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD40NF06LZ | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 40A DPAK Zener-Pr |
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| STD40NF06LZT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA |
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| STD40NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.025Ω - 50A TO-220 / DPAK L |
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| STD40NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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50A, 100V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, D2PAK-3 |
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| STD40NF3LL | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
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| STD40NF3LL_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD40NF3LLT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD40P8F6AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率M |
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| STD410S | SAMHOP |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STD412S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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