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STD40NF06

更新时间： 2024-01-11 13:22:56
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 450K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.024 ohm - 40A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STD40NF06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：450 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD40NF06 数据手册

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STD40NF06  
N-CHANNEL 60V - 0.024 Ω - 40A DPAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STD40NF06  
60 V  
<0.028 Ω  
40 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.024 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
3
1
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-  
based process. The resulting transistor shows extremely  
high packing density for low on-resistance, rugged  
avalanche characteristics and less critical alignment  
steps  
reproducibility.  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
MOTOR CONTROL , AUDIO AMPLIFIERS  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
60  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
40  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
28  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
160  
85  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.57  
10  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dv/dt(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
E
AS  
250  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤40A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 20 A, V = 30 V  
j
D
DD  
January 2003  
1/9  
1234567...9

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与STD40NF06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD40NF06LZ STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 40A DPAK Zener-Pr
STD40NF06LZT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA
STD40NF10 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.025Ω - 50A TO-220 / DPAK L
STD40NF10T4 STMICROELECTRONICS

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 		50A, 100V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, D2PAK-3
STD40NF3LL STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD40NF3LL_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
STD40NF3LLT4 STMICROELECTRONICS

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STD40P8F6AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率M
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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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