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STD44N4LF6

更新时间: 2024-11-24 12:00:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 1001K
描述
N-channel 40 V, 8.9 mΩ, 44 A DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

STD44N4LF6 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:22 weeks
风险等级:1.72Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):44 A
最大漏极电流 (ID):44 A最大漏源导通电阻:0.018 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):176 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD44N4LF6 数据手册

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STD44N4LF6  
N-channel 40 V, 8.9 m, 44 A DPAK  
STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET  
Features  
Order code  
VDSS  
RDS(on) max  
12.5 mΩ  
ID  
STD44N4LF6  
40 V  
44 A  
100% avalanche tested  
Logic level drive  
3
1
Applications  
DPAK  
Switching applications  
Automotive  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This device is an N-channel Power MOSFET  
developed using the 6th generation of STripFET™  
DeepGATE™ technology, with a new gate  
$ ꢄ4!" OR ꢅꢆ  
structure. The resulting Power MOSFET exhibits  
the lowest R  
in all packages.  
DS(on)  
'ꢄꢁꢆ  
3ꢄꢇꢆ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢂVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
STD44N4LF6  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
44N4LF6  
Tape and reel  
October 2011  
Doc ID 17171 Rev 4  
1/15  
www.st.com  
15  

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