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STD4N20T4 PDF预览

STD4N20T4

更新时间： 2024-11-24 14:18:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 269K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252AA

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STD4N20T4 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.76Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

STD4N20T4 数据手册

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STD4N20  
N-CHANNEL 200V - 1.2Ω - 4A DPAK/IPAK  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
STD4N20  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
200 V  
< 1.5 Ω  
4 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.2 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
ADD SUFFIX “T4” FOR OREDERING IN TAPE &  
REEL  
3
3
2
1
1
DPAK  
TO-252  
IPAK  
DESCRIPTION  
TO-251  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
200  
±20  
4
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
2.5  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
16  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
40  
W
C
Derating Factor  
0.32  
5
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤4A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
February 2001  
1/9  
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与STD4N20T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD4N25 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STD4N25-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251
STD4N25T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252
STD4N52K3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ω typ., SuperMES
STD4N62K3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 620 V, 1.7 Ω, 3.8 A SuperMESH3 Pow
STD4N62K3TRL STMICROELECTRONICS

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 		3.8A, 620V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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