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STD4NC50

更新时间： 2024-11-26 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET

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STD4NC50 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD4NC50 数据手册

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STD4NC50  
N - CHANNEL 500V - 1.3 Ω - 3.7 A TO-251  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD4NC50  
500 V  
< 1.5 Ω  
3.7 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.3 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
DESCRIPTION  
The PowerMESH II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY . The layout  
refinements introduced greatly improve the  
Ron*area figure of merit while keeping the device  
at the leading edge for what concerns switching  
speed, gate charge and ruggedness.  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
APPLICATIONS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
500  
± 30  
3.7  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
2.3  
A
IDM( )  
14.8  
50  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
Derating Factor  
0.4  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
3
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤3.7 A, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
September 1999  
12345678

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与STD4NC50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD4NC50_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerM
STD4NC50-1 STMICROELECTRONICS

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