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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD50NH02L | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 50A DPAK/IPAK ST |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD50NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET |
|
| STD52P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET， |
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| STD5406NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| STD5406NT4G-VF01 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| STD5407N | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| STD5407NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| STD55N4F5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 7.3 mΩ, 40 A, DPAK STripFETâ |
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| STD55NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
55A, 24V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
|
| STD55NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
55A, 24V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| STD55NH2LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET |
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