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STD50NH02LT4

更新时间: 2024-11-02 04:01:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
16页 501K
描述
N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

STD50NH02LT4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252AA包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.79
Is Samacsys:N其他特性:LOW THRESHOLD
雪崩能效等级(Eas):280 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.0105 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STD50NH02LT4 数据手册

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STD50NH02L  
STD50NH02L-1  
N-channel 24V - 0.0085- 50A - DPAK/IPAK  
STripFET™ III Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD50NH02L-1  
STD50NH02L  
24V  
24V  
<0.0105  
<0.0105Ω  
50A  
50A  
3
3
2
1
1
Logic level device  
R * Q Industry’s benchmark  
iPAK  
DPAK  
DS(ON)  
g
Conduction losses reduced  
Switching losses reduced  
Low threshold drive  
Description  
This device utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology.  
This is suitable fot the most demanding DC-DC  
converter application where high efficiency is to  
be achieved.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD50NH02L-1  
STD50NH02LT4  
D50NH02L  
D50NH02L  
IPAK  
Tube  
DPAK  
Tape & reel  
July 2006  
Rev 7  
1/16  
www.st.com  
16  

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