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STD55NH02L-1

更新时间： 2024-11-24 20:50:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 342K
描述
55A, 24V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3

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STD55NH02L-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD55NH02L-1 数据手册

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STD55NH02L  
N-CHANNEL 24V - 0.008 Ω - 55A DPAK/IPAK  
ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
TARGET DATA  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STD55NH02L  
24 V  
< 0.010 Ω  
55 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.008 Ω @ 10 V  
DS  
TYPICAL R (on) = 0.011 Ω @ 4.5 V  
DS  
R
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK  
DS(ON)  
3
3
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
LOW THRESHOLD DEVICE  
2
1
1
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
TO-251  
(Suffix “-1”)  
■
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
The STD55NH02L is based on the latest generation of  
ST's proprietary STripFET™ technology. An innovative  
layout enables the device to also exhibit extremely low  
gate charge for the most demanding requirements as  
high-side switch in high-frequency DC-DC converters. It's  
therefore ideal for high-density converters in Telecom  
and Computer applications.  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC CONVERTES  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STD55NH02LT4  
STD55NH02L-1  
MARKING  
D55NH02L  
D55NH02L  
PACKAGE  
TO-252  
TO-251  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
(1)  
V
spike  
Drain-source Voltage Rating  
30  
24  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
24  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
± 18  
55  
V
GS  
I
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
39  
A
C
(2)  
I
Drain Current (pulsed)  
220  
60  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.4  
TBD  
W/°C  
mJ  
(3)  
AS  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
April 2003  
1/10  
This is preliminary information on a new product forseen to be developped. Details are subject to change without notice  
1234567...10

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与STD55NH02L-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD55NH02LT4 STMICROELECTRONICS

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 		55A, 24V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
STD55NH2LL STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LL_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LL-1 STMICROELECTRONICS

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 		NPN Silicon Power Transistor
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STD5KA100 SSDI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
STD5KA100R SSDI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

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