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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD55N4F5
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STD55N4F5

更新时间： 2024-01-07 22:45:36
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 781K
描述
N-channel 40 V, 7.3 mΩ, 40 A, DPAK STripFET™ V Power MOSFET

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STD55N4F5 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD55N4F5 数据手册

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STD55N4F5  
N-channel 40 V, 7.3 mΩ, 40 A, DPAK  
STripFET™ V Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
Pw  
60 W  
STD55N4F5  
40 V  
< 8.5 mΩ  
55 A  
■ Standard threshold drive  
■ 100% avalanche tested  
3
1
DPAK  
■ Surface mounting DPAK (TO-252)  
Applications  
■ Switching applications  
– Automotive  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
TM  
The STD55N4F5 is a N-channel STripFET V.  
This Power MOSFET technology is among the  
latest improvements, which have been especially  
tailored to achieve very low on-state resistance  
providing also one of the best-in-class figure of  
merit (FOM).  
$ ꢄ4!" OR ꢅꢆ  
'ꢄꢁꢆ  
3ꢄꢇꢆ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢂVꢁ  
Table 1.  
Order code  
STD55N4F5  
Device summary  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
Tape and reel  
55N4F5  
June 2010  
Doc ID 15661 Rev 3  
1/13  
www.st.com  
13  
1234567...13

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STD55N4F5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

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STD3NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

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与STD55N4F5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD55NH02L-1 STMICROELECTRONICS

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STD55NH02LT4 STMICROELECTRONICS

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 		55A, 24V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
STD55NH2LL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LL_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LL-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LLT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
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 		NPN Silicon Power Transistor
STD5KA10 SSDI

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 		UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
STD5KA100 SSDI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

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