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STD4NS25-1 PDF预览

STD4NS25-1

更新时间： 2024-02-26 15:35:13
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 278K
描述
4A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3

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STD4NS25-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：1.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD4NS25-1 数据手册

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STD4NS25  
N-CHANNEL 250V - 0.9Ω - 4A DPAK/IPAK  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD4NS25  
250 V  
< 1.1 Ω  
4 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.9 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
3
3
2
1
1
DPAK  
TO-252  
IPAK  
DESCRIPTION  
TO-251  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
250  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 20  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
4
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2.5  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
16  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
50  
0.4  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
5
T
–65 to 150  
150  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤ 4A, di/dt≤300 A/µs, V ≤ V  
, Tj≤T  
(BR)DSS jMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
February 2001  
1/9  
1234567...9

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与STD4NS25-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD4NS25T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252AA
STD5025NLS SAMHOP

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 		N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor
STD50N03L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50N03L-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 50A DPAK/IPAK ST
STD50NH02L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02LT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD52P3LLH6 STMICROELECTRONICS

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 		P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET，
STD5406NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET

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