是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DPAK, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A | 最大漏极电流 (ID): | 40 A |
最大漏源导通电阻: | 0.019 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 160 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD60N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD50N03L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET | |
STD50NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 50A DPAK/IPAK ST | |
STD50NH02L_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET | |
STD50NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET | |
STD50NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET | |
STD52P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET, | |
STD5406NT4G | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
STD5406NT4G-VF01 | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
STD5407N | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
STD5407NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |