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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DPAK, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD60N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD50N03L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET |
|
| STD50NH02L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 50A DPAK/IPAK ST |
|
| STD50NH02L_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET |
|
| STD50NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET |
|
| STD50NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET |
|
| STD52P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET， |
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| STD5406NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| STD5406NT4G-VF01 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| STD5407N | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| STD5407NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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