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STD4NB25

更新时间： 2024-09-27 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
N - CHANNEL 250V - 0.95ohm - 4A - DPAK/IPAK PowerMESHO MOSFET

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STD4NB25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

STD4NB25 数据手册

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STD4NB25  
®
N - CHANNEL 250V - 0.95Ω - 4A - DPAK/IPAK  
PowerMESH MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD4NB25  
250 V  
< 1.1 Ω  
4 A  
ν
ν
ν
ν
ν
ν
TYPICAL RDS(on) = 0.95 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
FOR TROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
3
3
1
2
1
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
ν
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ν
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
250  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
V
A
A
A
W
250  
± 30  
4
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
2.5  
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
16  
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
40  
Derating Factor  
0.32  
5.5  
W/oC  
V/ns  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
oC  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤4 Α, di/dt â 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/6  
February 2000  
123456

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与STD4NB25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD4NB25-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3
STD4NB25T4 STMICROELECTRONICS

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 		4A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
STD4NB40 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 4A DPAK/IPAK Power
STD4NB40-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 4A DPAK/IPAK Power
STD4NB40T4 STMICROELECTRONICS

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 		4A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
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STD4NC50_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerM
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 		汽车级N沟道1000 V、5.6 Ohm典型值、2.2 A有齐纳管保护的SuperMESH
STD4NK50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/

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