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STD45P4LLF6AG

更新时间： 2024-11-25 14:58:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
16页	729K
描述
汽车级P沟道-40 V、12 mOhm典型值、-50 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

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STD45P4LLF6AG 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	22 weeks
风险等级：	1.54	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STD45P4LLF6AG 数据手册

STD45P4LLF6AG

Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A

STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

Datasheet - production data

Features

Order code

V_DS

R_DS(on)max.

I_D

STD45P4LLF6AG

-40 V

15 mΩ

-50 A



Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified



Very low on-resistance

Very low gate charge

High avalanche ruggedness

Low gate drive power loss

Figure 1: Internal schematic diagram

D(2, TAB)

Applications



Switching applications

Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ F6 technology,

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low R_DS(on)in all

packages.

G(1)

S(3)

AM11258v1

Table 1: Device summary

Order code

Marking

Package

DPAK

Packing

STD45P4LLF6AG

45P4LLF6

Tape and reel

July 2015

DocID027807 Rev 2

1/16

www.st.com

This is information on a product in full production.

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